檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "注入鎖定除頻器".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="四相位注入鎖定除頻器"
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此論文提出了一個壓控振盪器(VCO)及二個注入鎖定除頻(ILFDs),它們分別使用了標準台積電0.18微米CMOS製程、CIC MEMS後製程和0.35微米SiGe BiCMOS製程去實現。 …
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本文提出 2 種注入鎖定除 2 架構熱載子的實驗條件下,在交錯耦合電晶體間兩閘 極的厚薄度加以比較,可以發現到熱載子壓力的退化程度,在交錯耦合電晶體在不同 電壓注入,功耗愈大時鎖頻範圍愈小,反之,功…